微源检测为高纯试剂提供全套杂质分析方案

微源检测为高纯试剂提供全套元素和阴离子分析方法包

前言：集成电路因为在国民经济中的重要地位无可比拟，国家连续多年推出各种重要的规划、指示以及财政支持发展该行业。因此，高纯试剂作为集成电路制作过程中关键性基础化工材料之一，也受到了广泛的重视。高纯试剂中无机元素的痕量级分析，以及阴离子的痕量级分析，成为每个高纯试剂必要的质量控制方法。

微源检测购置了高分辨ICAP RQ ICP-MS 和 ICS5000+离子色谱，可以为高纯试剂行业提供全套的痕量级元素及阴离子分析服务。

1. 分析方法

随着集成电路集成度不断增加及其临界线宽不断减小，越来越需要监控器件中离子的粘污情况。生产过程中使用的电子化学品对器件的可靠性和产量有重大影响：硅晶片在进行工艺加工过程中，常常会被不同的杂质所沾污，如高纯试剂中的碱金属杂质(Na、Ca等)会溶进氧化膜中，从而导致耐绝缘电压下降：重金属(Cu、Fe、Cr、Ag等)若附着在硅晶片的表面时，将会使P-N节电压降低；杂质分子或离子的附着又是造成腐蚀或漏电等化学故障的主要原因。这些杂质沾污问题导致IC的产率下降大约50%。高纯试剂中ppb(mg／L)甚至更低的如ppt(ng／L)级金属离子杂质可以使用ICP-MS进行分析，非金属杂质的检测可以采用离子色谱法，但是因为直接进样测量时高浓度基体对待测阴离子会产生严重干扰，致使分析中出现保留时间缩短、基线不规则改变、弱峰受到干扰和色谱柱、检测电极的沾污等问题旧，因此如何合理有效的减小或消除高浓度基体干扰是高纯试剂中痕量阴离子检测的一大挑战，也是高纯试剂检测的热门。

高纯试剂中氟化物的检测图谱

结论：微源检测利用离子色谱法、电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)联合分析杂质元素在 试 剂 纯 度 定 值 中 的 应 用,建 立 了 一 种 高 纯 试 剂中杂质含量的分析方法.通过离子色谱法 测定阴离子杂质含量, ICP-MS 分析高纯试剂中阳离子杂质含量.该方法可为亚硝酸根及亚硝酸盐相关测定及标准物质研制提供技术支持,研制的相关标准物质可保证亚硝酸根的量值溯源,也可为其他高纯试剂中痕量杂质元素的分析提供方法借鉴.